|
تعریف فناوری
|
سلول مونوکریستال مبتنی بر ویفر P-Type،
معمولاً با فناوری PERC
|
ساختار ماژولی با قابلیت دریافت تابش
از سطح جلو و پشت پنل
|
سلول N-Type با لایه تماس پسیو و اکسید تونلی
برای کاهش تلفات الکتریکی
|
|
امکان تولید از پشت پنل
|
در مدلهای یکطرفه ندارد
|
دارد و به بازتاب سطح، ارتفاع نصب و فاصله ردیفها وابسته است
|
در صورت ساختار بایفیشیال، تولید از پشت نیز دارد
|
|
راندمان سطح ماژول
|
بالا و مناسب بیشتر پروژههای عمومی
|
راندمان سطح جلو وابسته به نوع سلول است؛
تولید کل میتواند با تابش پشت افزایش یابد
|
معمولاً بالاتر از نسلهای رایج P-Type
به دلیل کاهش تلفات بازترکیب
|
|
عملکرد در دمای بالا
|
وابسته به ضریب دمایی مدل؛ معمولاً افت توان بیشتری نسبت به N-Type دارد
|
به فناوری سلول استفادهشده در ماژول بستگی دارد
|
معمولاً ضریب دمایی توان مناسبتر و افت خروجی کمتر در گرما
|
|
افت القایی ناشی از نور
|
امکان بروز LID و LeTID بیشتر است
|
به نوع سلول P-Type یا N-Type بستگی دارد
|
مقاومت بهتر در برابر LID و LeTID
|
|
افت توان سالانه
|
معمولاً بیشتر از پنلهای جدید N-Type
|
تابع نوع سلول و شرایط گارانتی سازنده است
|
معمولاً کمتر و دارای تضمین توان بلندمدت بهتر
|
|
بایفیشیالیتی
|
در مدلهای یکطرفه قابل تعریف نیست
|
نسبت توان پشت پنل به توان سطح جلو؛
مقدار دقیق باید از دیتاشیت بررسی شود
|
در مدلهای بایفیشیال معمولاً مقدار بالایی دارد
|
|
حساسیت به شرایط نصب
|
کمتر و نصب سادهتر
|
زیاد؛ رنگ سطح، آلبدو، ارتفاع، سایه پشت
و فاصله ردیفها بر تولید اثر مستقیم دارند
|
مانند سایر پنلها به طراحی استرینگ،
تهویه و شرایط نصب وابسته است
|
|
کاربرد مناسب
|
سیستمهای خانگی، تجاری و صنعتی با بودجه متعادل
|
نیروگاه زمینی، سقفهای روشن، سازههای مرتفع
و محیطهای دارای بازتاب مناسب
|
پروژههای محدود از نظر فضا، مناطق گرم
و نیروگاههای با هدف تولید انرژی بیشتر
|
|
هزینه اولیه
|
معمولاً اقتصادیتر
|
ممکن است به سازه و طراحی نصب دقیقتری نیاز داشته باشد
|
معمولاً بالاتر، با امکان جبران از طریق راندمان
و تولید انرژی بیشتر
|
|
نکته اصلی انتخاب
|
تعادل میان قیمت، توان و فضای نصب
|
بررسی واقعی تابش پشت و بازتاب سطح پروژه
|
بررسی راندمان، ضریب دمایی، افت سالانه
و هزینه تولید انرژی
|
